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盛吉盛半导体请求 CVD 薄膜堆积反响腔室的抽气体系专利防止晶圆堆积薄膜厚度均匀性差

来源:米乐m6网页    发布时间:2025-04-08 11:44:27

  金融界 2025 年 1 月 27 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司请求一项名为“CVD 薄膜堆积反响腔室的抽气体系”的专利,公开号 CN 119351988 A,请求日期为 2024 年 12 月。

  专利摘要显现,本发明归于半导体设备技术领域,详细触及一种 CVD 薄膜堆积反响腔室的抽气体系,包含反响腔体、抽气主管以及真空泵;反响腔体包含至少一个腔室单元;腔室单元包含:子腔体、陶瓷抽气筒体、密封盖以及晶圆支撑渠道,陶瓷抽气筒体嵌设在所述子腔体内,晶圆支撑渠道被陶瓷抽气筒体围住,陶瓷抽气筒体内设置有中空的抽气腔室,经过在陶瓷抽气筒体的侧壁上设置多个均匀分布的抽气孔,而且设置抽气腔室和排气管道然后构成完好的均匀抽气通道,结合相应的管道和真空泵将反响腔室内剩余的气体均匀抽出,防止因抽气方位会集导致的晶圆堆积薄膜厚度均匀性差的问题,然后有利于提高晶圆外表薄膜的堆积质量。

  天眼查资料显现,盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司,成立于2021年,坐落无锡市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱7000万人民币,实缴本钱980.3万人民币。经过天眼查大数据分析,盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司参加招投标项目5次,专利信息39条,此外企业还具有行政许可7个。

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